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IRFZ34E
Electrical Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
60
–––
––– V V GS = 0V, I D = 250μA
? V (BR)DSS / ? T J Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
0.056
–––
V/°C Reference to 25°C, I D = 1mA
R DS(ON)
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
–––
0.042
?
V GS = 10V, I D = 17A ?
V GS(th)
Gate Threshold Voltage
2.0
–––
4.0 V V DS = V GS , I D = 250μA
g fs
Forward Transconductance
7.6
–––
––– S V DS = 25V, I D = 17A
25 V DS = 60V, V GS = 0V
I DSS
Drain-to-Source Leakage Current
–––
–––
–––
–––
μA
250 V DS = 48V, V GS = 0V, T J = 150°C
I GSS
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
–––
–––
–––
–––
100 V GS = 20V
nA
-100 V GS = -20V
Q g
Total Gate Charge
–––
–––
30 I D = 17A
Q gs
Gate-to-Source Charge
–––
–––
6.7 nC V DS = 48V
Q gd
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
–––
–––
12 V GS = 10V, See Fig. 6 and 13 ?
t d(on)
Turn-On Delay Time
–––
5.1
––– V DD = 30V
––– R G = 13 ?
t r
t d(off)
Rise Time
Turn-Off Delay Time
–––
–––
30
22
––– I D = 17A
ns
t f
Fall Time
–––
30
––– R D = 1.8 ?, See Fig. 10 ?
L D
L S
Internal Drain Inductance
Internal Source Inductance
–––
–––
4.5 –––
7.5 –––
nH
Between lead,
6mm (0.25in.)
from package
and center of die contact
G
D
S
C iss
Input Capacitance
–––
680 ––– V GS = 0V
C oss
Output Capacitance
–––
220 ––– pF V DS = 25V
C rss
Reverse Transfer Capacitance
–––
80 ––– ? = 1.0MHz, See Fig. 5
Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
I SM
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode) ?
–––
–––
–––
–––
28
100
A
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
G
D
S
V SD
Diode Forward Voltage
–––
–––
1.3
V
T J = 25°C, I S = 17A, V GS = 0V ?
t rr
Reverse Recovery Time
–––
63
95
ns
T J = 25°C, I F = 17A
Q rr
Reverse Recovery Charge
–––
130
200
nC
di/dt = 100A/μs ?
t on
Forward Turn-On Time
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L S +L D )
Notes:
? Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 11 )
? I SD ≤ 17 A, di/dt ≤ 200A/μs, V DD ≤ V (BR)DSS ,
T J ≤ 175°C
? Starting T J = 25°C, L = 670μH
R G = 25 ? , I AS = 17A. (See Figure 12)
? Pulse width ≤ 300μs; duty cycle ≤ 2%.
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